DRAM破1美元 後市仍看跌

(中央社記者張建中新竹23日電)繼12月下旬DDR3 1Gb合約均價跌破1美元大關，1Gb eTT(有效測試顆粒)均價今天也跌破1美元關卡，滑落至0.98美元。各界普遍預期，短期DRAM跌價壓力仍大。



因動態隨機存取記憶體 (DRAM)製造廠製程技術持續推進，產出不斷增加，電腦下半年銷售卻旺季不旺，致DRAM市場持續嚴重供過於求，進而衝擊DRAM價格頻頻破底。

根據集邦科技調查，12月下旬DDR3 1Gb顆粒合約均價為0.97美元，較12月上旬再下跌11.01%；12月單月價格大跌逾2成。

DDR3 1Gb eTT均價今天也跌破1美元關卡，滑落至0.98美元。

展望未來，各界普遍對DRAM後市保守看待；集邦科技即預期，DDR3 1Gb價格將有3至6個月維持在1美元以下低水位，明年下半年DDR3 1Gb價格才可望回升至1.2至1.3美元水準。

美國記憶體大廠美光 (Micron)也預期，12月至明年2月DRAM價格恐將滑落25%。

台灣DRAM廠不畏利空衝擊，今天股價普遍走揚；其中，力晶盤中每股最高來到6元，漲幅高達5.44%。991223

文章來源: 中央社